Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor
Articolo
Data di Pubblicazione:
2004
Citazione:
Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor / Della Corte, F.G., Pezzimenti, F.. - In: MICROELECTRONICS JOURNAL. - ISSN 0959-8324. - 35:(2004), pp. 411-415. [10.1016/j.mejo.2004.01.006]
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Elenco autori:
Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
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