Modeling of the steady state and switching characteristics of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET

Articolo

Data di Pubblicazione:

2013

Citazione:

Modeling of the steady state and switching characteristics of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET / Pezzimenti, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 60:4(2013), pp. 1404-1411. [10.1109/TED.2013.2244603]

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Elenco autori:

Pezzimenti, F.

Autori di Ateneo:

PEZZIMENTI Fortunato

Link alla scheda completa:

https://iris.unirc.it/handle/20.500.12318/6151

Pubblicato in:

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

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