Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency
Articolo
Data di Pubblicazione:
2002
Citazione:
Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency / DELLA CORTE, F.G., Pezzimenti, F.. - In: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. - ISSN 0022-3093. - 299-302:(2002), pp. 1365-1369. [10.1016/S0022-3093(01)01101-2]
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Elenco autori:
DELLA CORTE, F. G.; Pezzimenti, F.
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